年份 大事記
1997 華虹NEC成立。
1999 華虹NEC成功試產DRAM生產線。
2000 Grace Cayman成立上海宏力。
2003 華虹NEC開始其代工服務。
上海宏力開始生產0.20μm計算機芯片。
上海宏力開始生產0.25/0.18μm獨立NOR型閃存芯片。
2004 上海宏力開始用0.25μm嵌入式閃存工藝技術生產汽車發動機控制器芯片。
2005 華虹半導體在香港註冊成立為華虹NEC的控股公司。
華虹NEC開始用嵌入式EEPROM工藝技術生產中國居民身份證芯片。
2006 華虹NEC獲得Cypress的0.13μm SONOS技術許可,用於生產嵌入式閃存芯片。
上海宏力獲得Silicon Storage Technology, Inc.(SST)的SuperFlash技術許可,用於生產嵌入式閃存芯片。
2007 華虹NEC開始用0.35μm BCD工藝技術生產芯片。
上海宏力開始用0.18μm工藝技術生產嵌入式閃存芯片。
2008 華虹NEC開始用0.13μm SONOS技術生產嵌入式閃存芯片。
2009 上海宏力開始生產0.13μm 邏輯與微控制器和0.12μm NOR型閃存芯片。
2010 華虹NEC開始用0.18μm BCD工藝技術生產芯片。
上海宏力開始基於Superflash技術生產0.13μm嵌入式閃存芯片。
2011 華虹NEC的功率MOSFET累計出貨量超過二百萬片晶圓。
上海宏力及華虹NEC以SuperFlash為基礎的集成電路的累計出貨量超過一百萬片晶圓。
華虹NEC開始用600V SJNFET及1200V NPT IGBT工藝技術生產芯片。
華虹半導體與Grace Cayman之間的合併已完成。
2012 上海宏力與華虹NEC用0.13μm工藝技術生產的SIM卡芯片年出貨量達到約18億顆。
2013 根據合併進行的集團內公司間重組已基本完成。
華虹宏力交付移動應用磁力傳感器樣品。
2014 華虹半導體2014年10月15日在香港聯合交易所主板上市。
公司SIM卡芯片出貨量達26.6億張,佔全球50%市場份額。
2015 公司三座Fab總產能提升至每月14.6萬片,專注於功率器件的Fab 2 單月產出創5萬片歷史新高。
公司開始用0.11μm ULL 嵌入式閃存工藝生產芯片。
公司開始用0.2μm射頻SOI 工藝生產芯片。
2016 公司90nm嵌入式閃存工藝平台成功量產。
採用公司eNVM技術製造的金融IC卡芯片產品分獲國際CC EAL5+和EMVCo安全證書,以及萬事達CQM認證。
2017 公司DT-SJ工藝平台累計出貨量超過25萬片晶圓。
公司功率器件平台累計出貨量超過500萬片晶圓。
基於95nm OTP工藝平台的首顆MCU開發成功。
金融IC卡晶片出貨量突破4.3億顆。
2018 華虹半導體(無錫)啟動建設。
年出貨量首次突破200萬片晶圓。