華虹宏力有10年以上的功率器件產品的量產經驗,多年的量產經驗保證了華虹宏力的MOSFET的高品質和高合格率,同時也培養了一支成熟的技術開發團隊。開發了各種先進的MOSFET工藝和技術,積累了大量開發經驗,使得技術轉移和開發更快,成功率更高,極大地降低了客戶的產品上市時間。今後幾年裏,華虹宏力將致力於開發高壓和低開啟電阻的MOSFET工藝平台與IGBT技術工藝。

Trench HV MOSFET

基於華虹宏力在過去累積的LV MOSFET經驗,華虹宏力成功開發了溝槽類型的600V MOSFET,並進入量產。華虹宏力創造性地將溝槽應用到600V的MOSFET上,與常規的平面型MOSFET相比,可以有效地降低開啟電阻10%以上,該技術的產品非常適合用於市電範圍的開關電源、AC/DC、適配器/充電器和LED照明等應用。

  • 工作電壓範圍 400V ~ 700V
  • 提供厚度低至60um的薄片技術
  • 提供可用於直接焊接的背金
  • 根據產品特性需求,提供客戶定製化服務

超級結MOSFET

基於華虹宏力在過去累積的MOSFET的經驗,華虹宏力成功開發了超級結結構的600-700V MOSFET,並進入生產。華虹宏力的超級結技術採用獨特的工藝,可以達到優於業界水平的性能和指標。該技術的產品非常適合用於市電範圍的開關電源、AC/DC、適配器/充電器和LED照明等應用。

IGBT

依托於華虹宏力在MOSFET和Super Junction方面累積的豐富的經驗,華虹宏力與客戶合作成功開發了基於溝槽結構的600V-1200V非穿通型和場截止型IGBT。該技術的產品非常適合用於新能源汽車、白色家電、電磁爐、馬達驅動、UPS、焊機、機車拖動、智能電網以及包括風電和太陽能等新能源應用。

  • 1200V 非穿通型和輕穿通型IGBT
  • 600V ~ 1200V 場截止型IGBT針對變頻家電應用
  • 1700V ~ 6500V 場截止型IGBT (開發中),瞄準業界高端工業及能源市場應用