華虹宏力一直處於嵌入式非易失性存儲器代工領域的領先地位,其嵌入式非易失性存儲器工藝平台包含高密度、高性能的嵌入式閃存(eFlash),耐擦寫、可靠性高的電可擦寫可編程只讀存儲器(EEPROM)和兼容邏輯工藝、低成本的一次編程/多次編程存儲器(eOTP/MTP),能滿足客戶不同應用的需求,比如各類智能卡、微控制器和系統控制芯片等。

0.25μm ~ 0.13μm eFlash工藝平台

華虹宏力擁有兩套嵌入式非易失性閃存存儲器工藝平台:
  • 其一為自對準浮柵閃存技術的工藝平台,涵蓋0.25μm、0.18μm、0.13μm
  • 其二為0.13μm的SONOS工藝平台
  • 提供業界最具競爭力的閃存IP,具備高可靠性,可重復擦寫30萬次以上,數據保持大於100年。此兩套工藝平台均經過大規模量產驗證,可以定製各種高速,低功耗以及低成本解決方案的IP

針對觸控需求,華虹宏力提供創新的單芯片高壓解決方案—0.13μm-32V工藝平台。該工藝基於成熟的0.13μm嵌入式閃存平台,集成了HV CMOS (32V)器件,兼容原平台上各種容量的嵌入式閃存/EEPROM,SRAM,完整的模擬IP,高性能的IO庫和低功耗數字單元庫,目前,該平台在熱點觸控類應用領域得到了廣泛的認可,超過上萬片出貨。

0.35μm ~ 90nm eEEPROM工藝平台

華虹宏力擁有三套嵌入式電可擦只讀存儲器工藝平台:
  • 其一為自對準浮柵技術的工藝平台,涵蓋0.13μm、90nm
  • 其二為0.13μm的SONOS工藝平台
  • 其三為前道0.5μm、後道0.35μm/0.25μm的浮柵工藝平台

作為領先的智能卡芯片代工提供商,華虹宏力的代工產品涵蓋電信卡、U-key、社保卡、身份證、銀行卡以及眾多安全芯片。

0.5μm ~ 0.11μm eOTP/eMTP工藝平台

為客戶提供最完整和最高性價比的8位MCU的代工方案:
  • 5V與3.3V單電壓工藝平台提供高性價比解決方案
  • 廣泛用於電池、小家電,玩具,遙控器等各類MCU
  • 完整的IP組合與經驗豐富的設計團隊,助力客戶快速切入高性能、低功耗MCU領域