華虹宏力提供從0.5μm至90nm的標準邏輯與混合信號鋁製程工藝平台,涵蓋200mm晶圓代工支持的所有先進工藝節,並提供微縮版的工藝製程,包括0.162μm、0.153μm及0.115μm。這些縮小化標準製程的優勢在於客戶不需要更改設計,就可以獲得更多的芯片,從而降低生產成本。

90nm低漏電邏輯與混合信號工藝平台
  • 在趨近於業界通用90nm的物理尺寸上延續1.5V低漏電技術
  • 支持最多七層鋁互聯層
  • 搭配高密度工藝庫,為低功耗設計提供更為經濟的解決方案
  • 提供高阻值多晶矽電阻,MIM電容

0.13μm及其縮小化的邏輯與混合信號工藝平台
  • 支持最多七層鋁互聯層
  • 提供1.2V通用工藝和1.5V、1.8V 低漏電工藝,並搭配高密度工藝庫
  • 支持多閾值電壓
  • 提供高阻值多晶矽電阻,MIM電容

0.18μm及其縮小化的邏輯與混合信號工藝平台
  • 支持最多六層金屬互聯層
  • 提供1.8V通用工藝和1.8V低漏電工藝,並搭配高密度工藝庫
  • 支持多閾值電壓
  • 提供高阻值多晶矽電阻,MIM電容
  • 提供廣泛的IP支持,包括OTP/MTP、常用的模擬IP及接口IP

0.5μm 5V與0.18μm 3.3V,5V混合信號工藝平台
  • 支持最多四層金屬互聯層
  • 極具競爭力的光罩層數以及緊湊的電路設計規則
  • 提供高阻值多晶矽電阻,MIM電容,厚頂層金屬電感和OTP/MTP等