華虹宏力擁有先進的電源管理IC工藝平台,主要包括BCD(Bipolar,CMOS和DMOS)和CDMOS工藝,基於華虹宏力成熟CMOS平台的BCD/CDMOS工藝,可廣泛應用於音頻功放、室內外照明、電源管理、工業控製、汽車電子等領域,特別是DC-DC轉換器、AC-DC轉化器、LED照明和電池管理等產品的最佳工藝選擇。

0.35μm BCD工藝平台 (BCD350G/BCD350GE)
  • 基於0.35μm 5V CMOS工藝,提供高性能BJT與LDMOS,其中LDMOS可同時支持5V與12V的Vgs,且Vds最高可達40V
  • 支持最多四層金屬互聯層,並提供豐富的器件選項,包括高Rsh多晶矽電阻,低溫度系數多晶矽電阻,MIP電容,肖特基二極管,低溫度系數齊納二極管,JFET,5V、20V和40V耗盡管,低飽和壓降BJT,厚頂層金屬和OTP等
  • 提供完整的工藝庫與完全可擴展參數的設計工具套件
  • BCD350GE在原有量產的BCD350G工藝基礎上,進一步降低了LDMOS的比導通電阻,減少了光罩層數

0.18μm BCD工藝平台 (BCD180G)
  • 基於0.18μm 1.8V/5V標準CMOS工藝,提供高性能BJT與LDMOS,其中LDMOS支持5V Vgs與最高可達40V的Vds
  • 支持最多六層金屬互聯層,並提供豐富的器件選項,包括高Rsh多晶矽電阻,MIM電容,肖特基二極管,低溫度系數齊納二極管,JFET,5V、20V和40V耗盡管,低飽和壓降BJT,厚頂層金屬和OTP/MTP等
  • 提供完整的工藝庫與完全可擴展參數的設計工具套件

0.35μm CDMOS工藝平台 (PMU350G)
  • 基於0.35μm 3.3V/5V CMOS工藝,提供高性能BJT與LDMOS,其中LDMOS支持5V Vgs與最高可達40V的Vds
  • 支持最多四層金屬互聯層,並提供豐富的器件選項,包括高Rsh多晶矽電阻,低溫度系數多晶矽電阻,MIP電容,低溫度系數齊納二極管,JFET,5V、20V和40V耗盡管,低飽和壓降BJT,厚頂層金屬和OTP等
  • 提供完整的工藝庫與完全可擴展參數的設計工具套件

0.13μm CDMOS 工藝平台
  • 基於0.13μm 1.8V/5V CMOS工藝,提供可同時支持5V與12V Vgs的LDMOS,且Vds最高可達40V
  • 支持最多五層金屬互聯層,並提供豐富的器件選項,包括高Rsh多晶矽電阻,MIM電容,高壓BJT,齊納二極管,厚頂層金屬等
  • 提供高可靠性的eFlash/eEEPROM,其數據保存能力超過10年,擦寫能力可達20萬次以上
  • 極具競爭力的比導通電阻有助於縮減芯片面積
  • 提供完整的工藝庫,完全可擴展參數的設計工具套件,以及模擬IP與接口IP

1μm 700V CDMOS 工藝平台 (BCD 700V)
  • 6V CMOS,6V柵電壓 提供40V到700V的LDMOS
  • 集成的700V MOSFET具有業界領先的比導通電阻,有助於縮減芯片面積
  • 提供靈活的模塊化工藝輔以相應的設計工具套件,便於客戶根據需要進行版圖設計,縮短設計周期
  • 另外提供高壓JFET,高值多晶矽電阻,電容,齊納二極管等多種選項,方便客戶靈活設計

0.8μm 5V/40V HVCMOS 工藝平台
  • 5V和40V柵電壓 提供5V CMOS 和40V的對稱與非對稱結構HVCMOS
  • 可選擇的隔離30V NMOSFET可用於橋式驅動
  • 提供靈活的模塊化工藝輔以相應的設計工具套件,便於客戶縮短設計周期
  • 另外提供高值多晶矽電阻,MIP電容,齊納二極管,多晶熔斷等多種選項,方便客戶靈活設計
  • 數萬片的穩定出貨量。廣泛用於顯示屏的源驅動,開關電源的PWM和PFC控製器,LED照明驅動IC

0.5μm/0.35μm 5V CMOS工藝平台 (CZ6H+/CZ6L+) 與0.35μm 7V CMOS工藝平台(CZ6-7V)
  • CZ6H+/CZ6L+是華虹宏力最成熟的模擬工藝平台之一,有超過10年的量產經驗,擁有大量經過真實產品驗證過的成熟IP。它延續了邏輯器件的成熟穩定特性,並提供多種可供模擬電路設計的器件選擇
  • CZ6-7V是華虹宏力面向7V工作電壓而推出的另一模擬工藝平台,主要目標產品應用包括低中壓的音頻功放和LDO、DC/DC等電源管理芯片

0.18μm 5V CMOS工藝平台
  • 支持最多四層金屬互聯層
  • 極具競爭力的光罩層數以及緊湊的電路設計規則
  • 提供高阻值多晶矽電阻,MIM電容,厚頂層金屬電感和OTP/MTP等