華虹宏力針對應用於無線通信與有線光通信的射頻技術提供矽襯底全系列工藝解決方案,包括SiGe Bipolar/BiCMOS、RF LDMOS、與邏輯工藝兼容的RF CMOS、以及SOI RF CMOS等。

0.13μm/0.18μm SiGe Bipolar/BiCMOS工藝平台
  • 採用創新的HBT結構,提供了性能和成本的完美結合,已申請超過400項發明專利
  • 提供豐富工藝選項、傑出的性能,並以持續不斷的技術開發來更靈活地支持客戶產品設計
  • 提供精準的模型和完整的設計工具套件
  • 可根據客戶需要提供定製服務,以增強客戶競爭力

0.13μm RF CMOS工藝平台
  • 與0.13μm通用邏輯工藝平台完全兼容
  • 支持最多七層鋁互聯層
  • 支持多閾值電壓
  • 提供高阻值多晶矽電阻,MIM電容,變容二極管,厚頂層金屬電感
  • 提供完全可擴展參數的設計工具套件

0.18μm RF CMOS工藝平台
  • 與0.18μm通用邏輯工藝平台完全兼容
  • 支持最多六層金屬互聯層
  • 支持多閾值電壓
  • 提供高阻值多晶矽電阻,MIM電容,變容二極管,厚頂層金屬電感
  • 提供完全可擴展參數的設計工具套件

0.2μm SOI RF CMOS工藝平台
  • 專爲無綫射頻前端開關應用優化定制
  • 提供2.5V器件,具有更低的開關插入損耗、更高的隔離度和更好的綫性度
  • 提供針對射頻性能和芯片面積同時進行優化的便利的設計工具(PDK)
  • 提供PSP model