年份 大事记
1997 华虹NEC成立。
1999 华虹NEC成功试产DRAM生产线。
2000 Grace Cayman成立上海宏力。
2003 华虹NEC开始其代工服务。
上海宏力开始生产0.20μm计算器芯片。
上海宏力开始生产0.25/0.18μm独立NOR型闪存芯片。
2004 上海宏力开始用0.25μm嵌入式闪存工艺技术生产汽车发动机控制器芯片。
2005 华虹半导体在香港注册成立为华虹NEC的控股公司。
华虹NEC开始用嵌入式EEPROM工艺技术生产中国居民身份证芯片。
2006 华虹NEC获得Cypress的0.13μm SONOS技术许可,用于生产嵌入式闪存芯片。
上海宏力获得Silicon Storage Technology, Inc.(SST)的SuperFlash技术许可,用于生产嵌入式闪存芯片。
2007 华虹NEC开始用0.35μm BCD工艺技术生产芯片。
上海宏力开始用0.18μm工艺技术生产嵌入式闪存芯片。
2008 华虹NEC开始用0.13μm SONOS技术生产嵌入式闪存芯片。
2009 上海宏力开始生产0.13μm 逻辑与微控制器和0.12μm NOR型闪存芯片。
2010 华虹NEC开始用0.18μm BCD工艺技术生产芯片。
上海宏力开始基于Superflash技术生产0.13μm嵌入式闪存芯片。
2011 华虹NEC的功率MOSFET累计出货量超过二百万片晶圆。
上海宏力及华虹NEC以SuperFlash为基础的集成电路的累计出货量超过一百万片晶圆。
华虹NEC开始用600V SJNFET及1200V NPT IGBT工艺技术生产芯片。
华虹半导体与Grace Cayman之间的合并已完成。
2012 上海宏力与华虹NEC用0.13μm工艺技术生产的SIM卡芯片年出货量达到约18亿颗。
2013 根据合并进行的集团内公司间重组已基本完成。
华虹宏力交付移动应用磁力传感器样品。
2014 华虹半导体2014年10月15日在香港联合交易所主板上市。
公司SIM卡芯片出货量达26.6亿张,占全球50%市场份额。
2015 公司Fab总产能提升至每月14.6万片,专注于功率器件的Fab 2 单月产出创5万片历史新高。
公司开始用0.11μm ULL 嵌入式闪存工艺生产芯片。
公司开始用0.2μm射频SOI 工艺生产芯片。
2016 公司90nm嵌入式闪存工艺平台成功量产。
采用公司eNVM技术制造的金融IC卡芯片产品分获国际CC EAL5+和EMVCo安全证书,以及万事达CQM认证。
2017 公司DT-SJ工艺平台累计出货量超过25万片晶圆。
公司功率器件平台累计出货量超过500万片晶圆。
基于95nm OTP工艺平台的首颗MCU开发成功。