华虹宏力有10年以上的功率器件产品的量产经验,多年的量产经验保证了华虹宏力的MOSFET的高品质和高合格率,同时也培养了一支成熟的技术开发团队。开发了各种先进的MOSFET工艺和技术,积累了大量开发经验,使得技术转移和开发更快,成功率更高,极大地降低了客户的产品上市时间。今后几年里,华虹宏力将致力于开发高压和低开启电阻的MOSFET工艺平台与IGBT技术工艺。

Trench HV MOSFET

基于华虹宏力在过去累积的LV MOSFET经验,华虹宏力成功开发了沟槽类型的600V MOSFET,并进入量产。华虹宏力创造性地将沟槽应用到600V的MOSFET上,与常规的平面型MOSFET相比,可以有效地降低开启电阻10%以上,该技术的产品非常适合用于市电范围的开关电源、AC/DC、适配器/充电器和LED照明等应用。

  • 工作电压范围 400V ~ 700V
  • 提供厚度低至60um的薄片技术
  • 提供可用于直接焊接的背金
  • 根据产品特性需求,提供客户定制化服务

超级结MOSFET

基于华虹宏力在过去累积的MOSFET的经验,华虹宏力成功开发了超级结结构的600-700V MOSFET,并进入生产。华虹宏力的超级结技术采用独特的工艺,可以达到优于业界水平的性能和指标。该技术的产品非常适合用于市电范围的开关电源、AC/DC、适配器/充电器和LED照明等应用。

IGBT

依托于华虹宏力在MOSFET和Super Junction方面累积的丰富的经验,华虹宏力与客户合作成功开发了基于沟槽结构的600V-1200V非穿通型和场截止型IGBT。该技术的产品非常适合用于新能源汽车、白色家电、电磁炉、马达驱动、UPS、焊机、机车拖动、智能电网以及包括风电和太阳能等新能源应用。

  • 1200V 非穿通型和轻穿通型IGBT
  • 600V ~ 1200V 场截止型IGBT针对变频家电应用
  • 1700V ~ 6500V 场截止型IGBT (开发中),瞄准业界高端工业及能源市场应用