华虹宏力一直处于嵌入式非易失性存储器代工领域的领先地位,其嵌入式非易失性存储器工艺平台包含高密度、高性能的嵌入式闪存(eFlash),耐擦写、可靠性高的电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)和兼容逻辑工艺、低成本的一次编程/多次编程存储器(eOTP/MTP),能满足客户不同应用的需求,比如各类智能卡、微控制器和系统控制芯片等。

0.25μm ~ 0.13μm eFlash工艺平台

华虹宏力拥有两套嵌入式非易失性闪存存储器工艺平台:
  • 其一为自对准浮栅闪存技术的工艺平台,涵盖0.25μm、0.18μm、0.13μm
  • 其二为0.13μm的SONOS工艺平台
  • 提供业界最具竞争力的闪存IP,具备高可靠性,可重复擦写30万次以上,数据保持大于100年。此两套工艺平台均经过大规模量产验证,可以定制各种高速,低功耗以及低成本解决方案的IP

针对触控需求,华虹宏力提供创新的单芯片高压解决方案—0.13μm-32V工艺平台。该工艺基于成熟的0.13μm嵌入式闪存平台,集成了HV CMOS (32V)器件,兼容原平台上各种容量的嵌入式闪存/EEPROM,SRAM,完整的模拟IP,高性能的IO库和低功耗数字单元库,目前,该平台在热点触控类应用领域得到了广泛的认可,超过上万片出货。

0.35μm ~ 90nm eEEPROM工艺平台

华虹宏力拥有三套嵌入式电可擦只读存储器工艺平台:
  • 其一为自对准浮栅技术的工艺平台,涵盖0.13μm、90nm
  • 其二为0.13μm的SONOS工艺平台
  • 其三为前道0.5μm、后道0.35μm/0.25μm的浮栅工艺平台

作为领先的智能卡芯片代工提供商,华虹宏力的代工产品涵盖电信卡、U-key、社保卡、身份证卡、银行卡以及众多安全芯片。2018年,华虹宏力智能卡芯片出货量达30亿颗;其中,SIM卡芯片出货19亿颗,约占全球1/3市场份额。

0.5μm ~ 0.11μm eOTP/eMTP工艺平台

为客户提供最完整和最高性价比的8位MCU的代工方案:
  • 5V与3.3V单电压工艺平台提供高性价比解决方案
  • 广泛用于电池、小家电,玩具,遥控器等各类MCU
  • 完整的IP组合与经验丰富的设计团队,助力客户快速切入高性能、低功耗MCU领域