华虹宏力提供从0.5μm至90nm的标准逻辑与混合信号铝制程工艺平台,涵盖200mm晶圆代工支持的所有先进工艺节,并提供微缩版的工艺制程,包括0.162μm、0.153μm及0.115μm。这些缩小化标准制程的优势在于客户不需要更改设计,就可以获得更多的芯片,从而降低生产成本。

90nm低漏电逻辑与混合信号工艺平台
  • 在趋近于业界通用90nm的物理尺寸上延续1.5V低漏电技术
  • 支持最多七层铝互联层
  • 搭配高密度工艺库,为低功耗设计提供更为经济的解决方案
  • 提供高阻值多晶硅电阻,MIM电容

0.13μm及其缩小化的逻辑与混合信号工艺平台
  • 支持最多七层铝互联层
  • 提供1.2V通用工艺和1.5V、1.8V 低漏电工艺,并搭配高密度工艺库
  • 支持多阈值电压
  • 提供高阻值多晶硅电阻,MIM电容

0.18μm及其缩小化的逻辑与混合信号工艺平台
  • 支持最多六层金属互联层
  • 提供1.8V通用工艺和1.8V低漏电工艺,并搭配高密度工艺库
  • 支持多阈值电压
  • 提供高阻值多晶硅电阻,MIM电容
  • 提供广泛的IP支持,包括OTP/MTP、常用的模拟IP及接口IP

0.5μm 5V与0.18μm 3.3V,5V混合信号工艺平台
  • 支持最多四层金属互联层
  • 极具竞争力的光罩层数以及紧凑的电路设计规则
  • 提供高阻值多晶硅电阻,MIM电容,厚顶层金属电感和OTP/MTP等