华虹宏力拥有先进的电源管理IC工艺平台,主要包括BCD(Bipolar,CMOS和DMOS)和CDMOS工艺,基于华虹宏力成熟CMOS平台的BCD/CDMOS工艺,可广泛应用于音频功放、室内外照明、电源管理、工业控制、汽车电子等领域,特别是DC-DC转换器、AC-DC转化器、LED照明和电池管理等产品的最佳工艺选择。

0.35μm BCD工艺平台 (BCD350G/BCD350GE)
  • 基于0.35μm 5V CMOS工艺,提供高性能BJT与LDMOS,其中LDMOS可同时支持5V与12V的Vgs,且Vds最高可达40V
  • 支持最多四层金属互联层,并提供丰富的器件选项,包括高Rsh多晶硅电阻,低温度系数多晶硅电阻,MIP电容,肖特基二极管,低温度系数齐纳二极管,JFET,5V、20V和40V耗尽管,低饱和压降BJT,厚顶层金属和OTP等
  • 提供完整的工艺库与完全可扩展参数的设计工具套件
  • BCD350GE在原有量产的BCD350G工艺基础上,进一步降低了LDMOS的比导通电阻,减少了光罩层数

0.18μm BCD工艺平台 (BCD180G)
  • 基于0.18μm 1.8V/5V标准CMOS工艺,提供高性能BJT与LDMOS,其中LDMOS支持5V Vgs与最高可达40V的Vds
  • 支持最多六层金属互联层,并提供丰富的器件选项,包括高Rsh多晶硅电阻,MIM电容,肖特基二极管,低温度系数齐纳二极管,JFET,5V、20V和40V耗尽管,低饱和压降BJT,厚顶层金属和OTP/MTP等
  • 提供完整的工艺库与完全可扩展参数的设计工具套件

0.35μm CDMOS工艺平台 (PMU350G)
  • 基于0.35μm 3.3V/5V CMOS工艺,提供高性能BJT与LDMOS,其中LDMOS支持5V Vgs与最高可达40V的Vds
  • 支持最多四层金属互联层,并提供丰富的器件选项,包括高Rsh多晶硅电阻,低温度系数多晶硅电阻,MIP电容,低温度系数齐纳二极管,JFET,5V、20V和40V耗尽管,低饱和压降BJT,厚顶层金属和OTP等
  • 提供完整的工艺库与完全可扩展参数的设计工具套件

0.13μm CDMOS 工艺平台
  • 基于0.13μm 1.8V/5V CMOS工艺,提供可同时支持5V与12V Vgs的LDMOS,且Vds最高可达40V
  • 支持最多五层金属互联层,并提供丰富的器件选项,包括高Rsh多晶硅电阻,MIM电容,高压BJT,齐纳二极管,厚顶层金属等
  • 提供高可靠性的eFlash/eEEPROM,其数据保存能力超过10年,擦写能力可达20万次以上
  • 极具竞争力的比导通电阻有助于缩减芯片面积
  • 提供完整的工艺库,完全可扩展参数的设计工具套件,以及模拟IP与接口IP

1μm 700V CDMOS 工艺平台 (BCD 700V)
  • 6V CMOS,6V栅电压 提供40V到700V的LDMOS
  • 集成的700V MOSFET具有业界领先的比导通电阻,有助于缩减芯片面积
  • 提供灵活的模块化工艺辅以相应的设计工具套件,便于客户根据需要进行版图设计,缩短设计周期
  • 另外提供高压JFET,高值多晶硅电阻,电容,齐纳二极管等多种选项,方便客户灵活设计

0.8μm 5V/40V HVCMOS 工艺平台
  • 5V和40V栅电压 提供5V CMOS 和40V的对称与非对称结构HVCMOS
  • 可选择的隔离30V NMOSFET可用于桥式驱动
  • 提供灵活的模块化工艺辅以相应的设计工具套件,便于客户缩短设计周期
  • 另外提供高值多晶硅电阻,MIP电容,齐纳二极管,多晶熔断等多种选项,方便客户灵活设计
  • 数万片的稳定出货量。广泛用于显示屏的源驱动,开关电源的PWM和PFC控制器,LED照明驱动IC

0.5μm/0.35μm 5V CMOS工艺平台 (CZ6H+/CZ6L+) 与0.35μm 7V CMOS工艺平台(CZ6-7V)
  • CZ6H+/CZ6L+是华虹宏力最成熟的模拟工艺平台之一,有超过10年的量产经验,拥有大量经过真实产品验证过的成熟IP。它延续了逻辑器件的成熟稳定特性,并提供多种可供模拟电路设计的器件选择
  • CZ6-7V是华虹宏力面向7V工作电压而推出的另一模拟工艺平台,主要目标产品应用包括低中压的音频功放和LDO、DC/DC等电源管理芯片

0.18μm 5V CMOS工艺平台
  • 支持最多四层金属互联层
  • 极具竞争力的光罩层数以及紧凑的电路设计规则
  • 提供高阻值多晶硅电阻,MIM电容,厚顶层金属电感和OTP/MTP等