华虹宏力针对应用于无线通信与有线光通信的射频技术提供硅衬底全系列工艺解决方案,包括SiGe Bipolar/BiCMOS、RF LDMOS、与逻辑工艺兼容的RF CMOS、以及SOI RF CMOS等。

0.13μm/0.18μm SiGe Bipolar/BiCMOS工艺平台
  • 采用创新的HBT结构,提供了性能和成本的完美结合,已申请超过400项发明专利
  • 提供丰富工艺选项、杰出的性能,并以持续不断的技术开发来更灵活地支持客户产品设计
  • 提供精准的模型和完整的设计工具套件
  • 可根据客户需要提供定制服务,以增强客户竞争力

0.13μm RF CMOS工艺平台
  • 与0.13μm通用逻辑工艺平台完全兼容
  • 支持最多七层铝互联层
  • 支持多阈值电压
  • 提供高阻值多晶硅电阻,MIM电容,变容二极管,厚顶层金属电感
  • 提供完全可扩展参数的设计工具套件

0.18μm RF CMOS工艺平台
  • 与0.18μm通用逻辑工艺平台完全兼容
  • 支持最多六层金属互联层
  • 支持多阈值电压
  • 提供高阻值多晶硅电阻,MIM电容,变容二极管,厚顶层金属电感
  • 提供完全可扩展参数的设计工具套件

0.2μm SOI RF CMOS工艺平台
  • 专为无线射频前端开关应用优化定制
  • 提供2.5V器件,具有更低的开关插入损耗、更高的隔离度和更好的线性度
  • 提供针对射频性能和芯片面积同时进行优化的便利的设计工具(PDK)
  • 提供PSP model